#1 |
数量:3416 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3416 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:7809 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
FDMA7630 |
文档 |
Marking Content 19/Nov/2013 Multiple Devices 11/Mar/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 13 mOhm @ 11A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1360pF @ 15V |
功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 6-MicroFET (2x2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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